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ZXMC10A816N8
Typical Characteristics Q2 P-Channel
10
T = 25°C
10V
5V
4.5V
10
T = 150°C
10V
5V
4.5V
4V
1
0.1
4V
3.5V
-V GS
0.1 1 10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1
0.1
0.01
3.5V
3V
-V GS
0.1 1 10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
2.0
T = 150°C
1.8
1.6
V GS = -10V
I D = - 2.1A
R DS(on)
1.4
1
T = 25°C
1.2
1.0
V GS(th)
-V DS = 10V
0.8
0.6
V GS = V DS
I D = -250uA
3.0
3.5 4.0 4.5
-V GS Gate-Source Voltage (V)
5.0
-50
0 50 100
Tj Junction Temperature (°C)
150
Typical Transfer Characteristics
Normalised Curves v Temperature
-V GS
3.5V
T = 25°C
10
10
4V
4.5V
5V
1
0.1
T = 150°C
T = 25°C
1
7V
0.01
0.1
0.1 1 10
-I D Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
10V
1E-3
0.2 0.4 0.6 0.8
-V SD Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.0
ZXMC10A816N8
Document number: DS33497 Rev. 2 - 2
8 of 11
www.diodes.com
March 2013
? Diodes Incorporated
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